На конференции IEEE ECTC 2025 в Далласе Intel представила EMIB-T — усовершенствованную версию технологии межкристальных соединений для интеграции памяти HBM4 и интерфейса UCIe. Решение объединяет элементы 2.5D и 3D-упаковки, обеспечивая повышенную пропускную способность до 32 Гбит/с и улучшенное энергоподавление за счёт сквозных кремниевых переходов (TSV).
Новая технология позволяет создавать модули размером до 120×180 мм с 38 мостами и 12 кристаллами, уменьшив шаг соединений с 55 до 45 микрон. Совместимость с органическими и стеклянными подложками расширяет возможности для масштабирования. Одновременно Intel анонсировала термораспределитель, снижающий риск пустот на 25%, и обновила решения для термокомпрессионного монтажа.
Эксперты полупроводниковой отрасли подчёркивают, что EMIB-T ускорит создание гибридных чиплетов для ИИ-систем, где критичны плотность размещения и энергоэффективность. Развитие открытых стандартов UCIe 2.0 и сотрудничество с Cadence, Siemens и Keysight упростит интеграцию компонентов от разных производителей.
Исторический контекст: c 2017 года Intel использует EMIB в процессорах Ponte Vecchio, а с 2023-го — в серверных чипах Sierra Forest. Обновлённая версия с TSV впервые позволяет напрямую подавать питание через основание упаковки, что стало ответом на аналогичные разработки TSMC (CoWoS-L) и Samsung (I-Cube).
Этот материал создан с помощью AIGENDA — нейросети для анализа технологических трендов. Если вы хотите быстро узнать о других инновациях в микроэлектронике, составить техническую документацию или сравнить решения конкурентов, воспользуйтесь сервисом на нашем сайте прямо сейчас.
